Grande Encyclopédie Larousse 1971-1976Éd. 1971-1976
S

semi-conducteur (suite)

Conductibilité unidirectionnelle et applications de la jonction P-N

La dissymétrie de conductivité de la jonction P-N fait de cette association de semi-conducteurs le principe de base des diodes (dont les redresseurs) et des transistors. Dans le redresseur, c’est la conductibilité unidirectionnelle de la jonction qui est utilisée ; dans le transistor, qui comprend deux jonctions successives P-N et N-P ou N-P et P-N sous la forme d’un « sandwich » N-P-N ou P-N-P, la polarisation dans le sens direct de l’une des deux jonctions parvient, sous une intensité de courant relativement faible, à provoquer l’annulation des deux barrières de potentiel et, par là, à donner une forte conductivité aux deux jonctions. Le courant intense qui peut en résulter traduit la propriété amplificatrice du transistor. D’autres dispositions, telle celle du transistor MOS (Métal-Oxyde-Silicium), permettent d’agir sur l’intensité du courant passant entre deux cristaux semi-conducteurs de même type au moyen d’une électrode métallique isolée par une mince couche d’oxyde. D’autres encore, comme celle du transistor unijonction, présentent entre deux électrodes une conductance négative. Un champ magnétique, qui mobilise également les porteurs de charge, permet aussi de faire varier le courant électrique dans un semi-conducteur (effet Hall). Enfin, les caractéristiques de certains semi-conducteurs extrinsèques peuvent être affectées par la lumière ; on réalise ainsi des photoconductances et, avec certaines jonctions, des photodiodes.


Technologie du semi-conducteur

Le germanium et le silicium industriels sont inutilisables en raison de leur pureté insuffisante (de 10–3 à 10–4) et parce que leur structure cristalline est irrégulière. Une pureté convenable pour un semi-conducteur intrinsèque peut être obtenue par le procédé dit de fusion de zone, où le semi-conducteur est liquéfié dans un long creuset sous atmosphère réductrice (940 °C pour le germanium, 1 420 °C pour le silicium). La zone de fusion est lentement déplacée et entraîne avec elle les impuretés, qui se concentrent finalement à l’extrémité du barreau solidifié, que l’on coupe. Une cristallisation régulière est obtenue par tirage d’un monocristal appelé germe, qui tourne sur son axe et monte lentement après avoir été plongé dans le semi-conducteur purifié en fusion. Les jonctions sont obtenues : soit au cours du tirage, par dopage alterné de la masse en fusion, en impuretés du type P et du type N ; soit par alliage, c’est-à-dire par soudure des électrodes avec, par exemple, un apport de métal du type P sur un bloc de cristal du type N ou par fusion d’une bille d’indium sur une plaquette de germanium ; soit par attaque électrolytique et dépôt des électrodes (surface barrier) ; soit par diffusion sous vide (diodes mesa ou planar) ; soit par dépôt en surface (épitaxie), sur un semi-conducteur appelé substrat, d’une couche monocristalline due au passage d’un flux gazeux contenant un composé de l’autre type de semi-conducteur.

J.-C. S.

➙ Amplificateur électronique / Conducteur / Redresseur.

 W. Shockley, Electrons and Holes in Semiconductors (New York, 1950). / G. Goudet et C. Meuleau, les Semi-Conducteurs (Eyrolles, 1957). / P. Aigrain et F. Englert, les Semi-Conducteurs (Dunod, 1958). / R. Guillien, les Semiconducteurs et leurs applications (P. U. F., coll. « Que sais-je ? », 1963 ; 3e éd., 1972). / E. J. Cassignol, Physique et électronique des semi-conducteurs (Dunod, 1965). / Physique des semi-conducteurs (Dunod, 1965). / S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (New York, 1969). / R. Legros, les Semiconducteurs, t. I (Eyrolles, 1974).

sémiotique

Science générale des signes.



Introduction

Indépendamment de ses ancêtres stoïciens ou médiévaux (théoriciens des modi significandi), mais avec des références plus précises aux précurseurs plus proches (F. de Saussure* en Europe, Ch. S. Peirce aux États-Unis), la sémiotique (ou sémiologie) s’est constituée en approche scientifique novatrice dans les années 1960, d’abord en France (sous l’influence de R. Jakobson* et celle, décisive, de L. Hjelmslev*), puis, quelques années plus tard, en Union soviétique (en contact également avec Jakobson et grâce aux résurgences de l’école de Moscou), pour devenir en peu de temps, presque partout dans le monde, une discipline et une méthodologie rarement intégrées, plutôt tolérées et le plus souvent exclues de l’enseignement universitaire des sciences humaines, mais donnant lieu à un nombre impressionnant de travaux et de recherches. Le structuralisme* français, qui peut être considéré comme le développement, dans un certain sens, de l’acquis des écoles linguistiques de Prague et de Copenhague (v. linguistique) de l’entre-deux-guerres et comme son extension dans les domaines de la mythologie comparée (G. Dumézil), de l’anthropologie (C. Lévi-Strauss*), de la psychanalyse (J. Lacan*), de la littérature (R. Barthes), etc., a permis à la sémiotique de s’ériger, à partir d’un ensemble de postulats linguistiques, en un lieu de convergences et d’interprétations d’un nouveau savoir-faire scientifique jusque-là dispersé.

Le terme de sémiologie, proposé par Saussure pour désigner la future « science générale des signes », est vite entré en conflit avec celui de sémiotique, dont les partisans mettaient en doute la pertinence au niveau d’analyse des signes et esquissaient un rapprochement avec la conception de la sémiotique en logique, où, en tant que langage, elle se décompose en une syntaxe et en une sémantique (R. Carnap). La définition de Hjelmslev — le premier à avoir formulé une théorie sémiotique complète et efficace —, selon lequel la sémiologie serait la métathéorie des sémiotiques particulières, satisferait probablement tout le monde si l’usage international n’imposait progressivement l’emploi exclusif du seul terme de sémiotique.


Sémiotique et linguistique